800W レーザー冷却プロジェクトの熱ソリューション

ヒートパイプヒートシンク、800W レーザー冷却プロジェクトの熱ソリューション。

設計要件:

LD1 電力: 6*70W=420W;

LD2 電力: 1*35W=35W;

LD3 電力: 1*13W=13W;

MOS チップセット: 8 グループ * 30 = 240W;

ファン: PF92252V1-1000C-A99 X3個

ヒートシンク：押出加工

ポンプソース LD の温度は 55 度を超えてはなりません (温度差は 55 度未満)

40度の環境でテストした場合は15度）。

Creo の 3D 設計モデル

正の X、Y、Z の方向

正の X、Y、Z の方向

LD4、LD5、LD6 の温度と MOS チップセットの分布

結果：

モジュールは単純なモデル方式を採用しており、結果と実際は異なります。

これらのＬＤパワーは約５５〜５７度である。

MOS チェプシット: 59 ～ 83 度。